Дата публикации:

Samsung разрабатывает 10-нм 8Gb DDR4 DRAM

Samsung утверждает, что разработала 10-нм DDR4 DRAM третьего поколения третьего поколения для серверов и высокопроизводительных ПК.

8 Гбит / с DDR4 1z-nm начнется во второй половине этого года для размещения корпоративных серверов следующего поколения и высокопроизводительных ПК, запуск которых ожидается в 2020 году.

Разработка компанией Samsung 1-нм DRAM открывает путь для ускоренного глобального перехода ИТ на интерфейсы DRAM следующего поколения, такие как DDR5, LPDDR5 и GDDR6.

 

Последующие 1z-nm продукты с большей емкостью и производительностью будут ориентированы на серверы, графические и мобильные устройства.

После полной проверки производителем ЦП для модулей 8 ГБ DDR4 Samsung будет активно сотрудничать с глобальными заказчиками, чтобы предоставить целый ряд новых решений для памяти.

В соответствии с текущими отраслевыми потребностями Samsung планирует увеличить долю производства основной памяти на своем сайте в Пхёнтэке.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *