Личный кабинет
Производитель силовых транзисторов GaN Systems объединился с Renesas для создания оценочных комплектов, демонстрирующих подходящие методы управления для силовых транзисторов GaN, которые имеют желаемые характеристики переключения, но сложные требования к управлению затвором.
В их основе лежит драйвер GaN FET нижнего уровня RAA226110 компании Renesas.
«Эти карты являются первыми в отрасли, которые обеспечивают программируемую защиту от перегрузки по току с регулируемыми порогами и программируемым током источника для регулируемой скорости нарастания включения для управления транзистором из нитрида галлия», — сообщает GaN Systems.
На плате 650В полумосты:
- GS-EVB-HB-66508B-RN до 30 А 3 кВт
- GS-EVB-HB-66516T-RN до 60 А 6 кВт
Обе платы являются дочерними для материнской платы GS665MB-EVB или собственной разработки заказчика. Предусмотренные области применения включают корпоративные источники питания высотой 1U (до 5 кВт), безмостовые PFC, солнечные инверторы, системы хранения энергии, моторные приводы, автомобильные преобразователи постоянного тока в постоянный и автомобильные бортовые зарядные устройства.
Характеристики RAA226110 включают регулируемое напряжение управления затвором, работающее со скоростью переключения до 2 МГц, и регулируемый ток затвора (300 мА, 750 мА или 2 А) для регулировки скорости нарастания при включении.
Программируемая защита от перегрузки по току для внешнего силового транзистора GaN использует внешний резистор в своем источнике, напряжение которого дифференциально измеряется микросхемой, внутренний порог переключения для напряжения резистора может быть запрограммирован на 40, 80 или 120 мВ.
Несмотря на то, что драйвер низкочастотный, похоже, что оценочные платы используют его и на высоком уровне, за счет включения изолированного источника питания и изолированного сигнала переключения. В настоящее время это нигде не подтверждено на веб-сайте GaN Systems, который я могу найти, но есть такое приложение
Загрузка