477dffeff8fb5949001f000f0db45f23

ZVN3310F, МОП-транзистор, N Канал, 100 мА, 100 В, 10 Ом

48,00 руб.

x 48,00 = 48,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней48,00руб.44,64руб.43,20руб.42,24руб.39,36руб.38,40руб.37,44руб.34,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней86,88руб.79,68руб.78,24руб.76,32руб.71,04руб.69,60руб.67,68руб.60,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней112,32руб.103,68руб.101,28руб.98,88руб.92,16руб.89,76руб.87,84руб.78,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней57,60руб.52,80руб.51,84руб.50,40руб.47,04руб.46,08руб.44,64руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней110,88руб.102,24руб.99,84руб.97,44руб.94,56руб.91,20руб.86,40руб.77,76руб.

Характеристики

ZVN3310F, МОП-транзистор, N Канал, 100 мА, 100 В, 10 Ом The ZVN3310F is an N-channel Enhancement Mode MOSFET utilizes a structure that combines low input capacitance with relatively low on-resistance and has an intrinsically higher pulse current handling capability in linear mode than a comparable trench technology structure. This transistor features UL94V-0 rated case and solderable as per MIL-STD-202, method 208 matte tin finish lead frame (lead free plating) terminals. This MOSFET is suitable for general purpose applications. it is complementary to ZVP3310F type transistor.

• High pulse current handling in linear mode
• Low input capacitance
• Fast switching speed

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

330мВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

100мА