2010020829

X2G75SD12P1, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А

1.099,04 руб.

x 1.099,04 = 1.099,04
Артикул: 1065948 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.099,04руб.1.022,11руб.967,16руб.934,18руб.901,21руб.884,73руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.241,92руб.1.121,02руб.1.099,04руб.1.055,08руб.1.022,11руб.1.000,13руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.340,83руб.1.208,94руб.1.175,97руб.1.143,00руб.1.077,06руб.1.011,12руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.307,86руб.1.175,97руб.1.153,99руб.1.110,03руб.1.066,07руб.1.005,62руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней1.868,37руб.1.681,53руб.1.648,56руб.1.582,62руб.1.527,67руб.1.395,78руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней1.857,38руб.1.670,54руб.1.635,37руб.1.571,63руб.1.516,68руб.1.384,79руб.

Характеристики

X2G75SD12P1, 34 mm, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А

Дополнительная информация

Макс.напр.к-э,В

—
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

—
Номинальный ток одиночного тр-ра,А

—
Структура модуля

—
Тип силового модуля

—
Максимальная частота модуляции,кГц

—
Входная емкость затвора,нФ

—
Мощность привода, кВт

—
Драйвер управления

—
Защита по току

—
Защита от короткого замыкания

—
Защита от перегрева

—
Защита от пониженного напряжения питания

—
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

—
Максимальный ток эмиттера, А

—
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

—
Напряжение эмиттер-коллектор,В

—
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

—
Напряжение изоляции, В

—
Температурный диапазон,С

—