07878f5e6d52e3825a97b6bd7e712290

Микросхема VNB20N07-E, Mosfet

254,80 руб.

x 254,80 = 254,80
Артикул: 1116390 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней254,80руб.236,96руб.229,32руб.224,22руб.216,58руб.203,84руб.198,74руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней479,02руб.440,80руб.433,16руб.422,97руб.407,68руб.384,75руб.374,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней486,67руб.448,45руб.438,26руб.428,06руб.407,68руб.387,30руб.379,65руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней305,76руб.280,28руб.275,18руб.267,54руб.259,90руб.244,61руб.236,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней443,35руб.407,68руб.397,49руб.389,84руб.377,10руб.354,17руб.343,98руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней277,73руб.257,35руб.249,70руб.244,61руб.236,96руб.221,68руб.216,58руб.

Характеристики

VNB20N07-E, Mosfet OMNIFET™ Fully Auto-protected Power MOSFET, STMicroelectronics
The OMNIFET series of fully auto-protected low-side drivers, are measured on the criteria of ruggedness and improved reliability. These solid state power switches are designed for inductive or resistive loads, especially in the automotive environment.

Power and Load Switches
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.