55

ULN2004D1013TR, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона

41,00 руб.

x 41,00 = 41,00
Артикул: 1129139 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней41,00руб.38,13руб.36,90руб.36,08руб.33,62руб.32,80руб.31,98руб.29,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней74,21руб.68,06руб.66,83руб.65,19руб.60,68руб.59,45руб.57,81руб.52,07руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней95,94руб.88,56руб.86,51руб.84,46руб.78,72руб.76,67руб.75,03руб.67,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней49,20руб.45,10руб.44,28руб.43,05руб.40,18руб.39,36руб.38,13руб.34,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней94,71руб.87,33руб.85,28руб.83,23руб.80,77руб.77,90руб.73,80руб.66,42руб.

Характеристики

ULN2004D1013TR, Массив биполярных транзисторов, дарлингтона The ULN2004D1013TR is an NPN Darlington Array containing seven open collector Darlington pairs with common emitters. Each channel rated at 500mA and can withstand peak currents of 600mA. Suppression diodes are included for inductive load driving and the inputs are pinned opposite the outputs to simplify board layout. This high-voltage high-current versatile device is useful for driving a wide range of loads including solenoids, thermal print heads and high power buffers.

• Integrated suppression diodes for inductive loads
• Outputs can be paralleled for higher current
• CMOS and PMOS compatible inputs
• Inputs pinned opposite outputs to simplify layout

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

85 C
Количество Выводов

16вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

50в
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

500мА
DC Усиление Тока hFE

1000hFE