d35052e15642cb6726f009985d7e59e0

TN2510N8-G, МОП-транзистор, N Канал, 730 мА, 100 В, 1 Ом

100,00 руб.

x 100,00 = 100,00
Артикул: 1135712 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней100,00руб.93,00руб.90,00руб.88,00руб.85,00руб.80,00руб.78,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней188,00руб.173,00руб.170,00руб.166,00руб.160,00руб.151,00руб.147,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней191,00руб.176,00руб.172,00руб.168,00руб.160,00руб.152,00руб.149,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней120,00руб.110,00руб.108,00руб.105,00руб.102,00руб.96,00руб.93,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней174,00руб.160,00руб.156,00руб.153,00руб.148,00руб.139,00руб.135,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней109,00руб.101,00руб.98,00руб.96,00руб.93,00руб.87,00руб.85,00руб.

Характеристики

TN2510N8-G, МОП-транзистор, N Канал, 730 мА, 100 В, 1 Ом This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.

• Low threshold (2.0V max.)
• High input impedance
• Low input capacitance (125pF max.)
• Fast switching speeds
• Low on-resistance
• Free from secondary breakdown
• Low input and output leakage

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-89
Рассеиваемая Мощность

1.6Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

730мА