47

TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор

25,00 руб.

x 25,00 = 25,00
Артикул: 1123604 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней25,00руб.23,25руб.22,50руб.22,00руб.20,50руб.20,00руб.19,50руб.18,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней45,25руб.41,50руб.40,75руб.39,75руб.37,00руб.36,25руб.35,25руб.31,75руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней58,50руб.54,00руб.52,75руб.51,50руб.48,00руб.46,75руб.45,75руб.41,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней30,00руб.27,50руб.27,00руб.26,25руб.24,50руб.24,00руб.23,25руб.21,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней57,75руб.53,25руб.52,00руб.50,75руб.49,25руб.47,50руб.45,00руб.40,50руб.

Характеристики

TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор The TIP112 is a NPN complementary silicon epitaxial-base Power Transistor with monolithic Darlington configuration mounted in a JEDEC plastic package. It is intended for use in medium power linear and switching applications.

• Integrated anti-parallel collector-emitter diode
• PNP complementary type is TIP117

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

npn с darl
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

500
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

50