d2ab09b167de7914ff68eefd2e537298

TIP102, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В

88,00 руб.

x 88,00 = 88,00
Артикул: 1130283 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней88,00руб.81,84руб.79,20руб.77,44руб.72,16руб.70,40руб.68,64руб.63,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней159,28руб.146,08руб.143,44руб.139,92руб.130,24руб.127,60руб.124,08руб.111,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней205,92руб.190,08руб.185,68руб.181,28руб.168,96руб.164,56руб.161,04руб.144,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней105,60руб.96,80руб.95,04руб.92,40руб.86,24руб.84,48руб.81,84руб.73,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней203,28руб.187,44руб.183,04руб.178,64руб.173,36руб.167,20руб.158,40руб.142,56руб.

Характеристики

TIP102, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 100 В The TIP102 is a 100V NPN epitaxial silicon Darlington Transistor for industrial use. It features monolithic construction with built in base-emitter shunt resistors. This product is general usage and suitable for many different applications. The transistor is complementary to TIP105/106/107.

• High DC current gain (hFE=1000 at VCE= 4V, IC = 3A minimum)
• Low collector-emitter saturation voltage
• 100V Collector base voltage (VCBO)
• 5V Emitter base voltage (VEBO)
• 1A Base current (IB)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

80Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

8А
DC Усиление Тока hFE

200hFE