4821c68435f69fb5cea8a05139bfda07

THAT320S14-U, Массив биполярных транзисторов, малошумящий

1.270,00 руб.

x 1.270,00 = 1.270,00
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.270,00руб.1.181,10руб.1.117,60руб.1.079,50руб.1.041,40руб.1.022,35руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.435,10руб.1.295,40руб.1.270,00руб.1.219,20руб.1.181,10руб.1.155,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.549,40руб.1.397,00руб.1.358,90руб.1.320,80руб.1.244,60руб.1.168,40руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.511,30руб.1.358,90руб.1.333,50руб.1.282,70руб.1.231,90руб.1.162,05руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.159,00руб.1.943,10руб.1.905,00руб.1.828,80руб.1.765,30руб.1.612,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.146,30руб.1.930,40руб.1.889,76руб.1.816,10руб.1.752,60руб.1.600,20руб.

Характеристики

THAT320S14-U, Массив биполярных транзисторов, малошумящий The THAT320S14-U is a low-noise matched Bipolar Transistor Array with large geometry monolithic 4-matched PNP transistors configuration. It exhibits both high speed and low noise with excellent parameter matching between transistors of the same gender. The base-spreading resistance is 25R for the PNP devices, so their resulting voltage noise is under 1nV/vHz. The device is ideally suited for low-noise amplifier input stages, log amplifiers and many other applications. Fabricated in a dielectrically isolated, complementary bipolar process, each transistor is electrically insulated from the others by a layer of insulating oxide. It exhibits inter-device crosstalk and DC isolation similar to that of discrete transistors. The resulting low collector-to-substrate capacitance produces a PNP fT of 325MHz. Substrate biasing is not required for normal operation, though the substrate should be ac-grounded to optimize speed and minimize crosstalk.

• 4-matched PNP transistors with hfe of 150
• Low voltage noise
• High speed
• 500µV matching between devices
• Dielectrically isolated for low crosstalk and high DC isolation

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

70 C

Количество Выводов

14вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-40В

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

-20мА

DC Усиление Тока hFE

75hFE