Заполнитель

STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом

430,00 руб.

x 430,00 = 430,00
Артикул: 1126914 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней430,00руб.399,90руб.387,00руб.378,40руб.365,50руб.344,00руб.335,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней808,40руб.743,90руб.731,00руб.713,80руб.688,00руб.649,30руб.632,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней821,30руб.756,80руб.739,60руб.722,40руб.688,00руб.653,60руб.640,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней516,00руб.473,00руб.464,40руб.451,50руб.438,60руб.412,80руб.399,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней748,20руб.688,00руб.670,80руб.657,90руб.636,40руб.597,70руб.580,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней468,70руб.434,30руб.421,40руб.412,80руб.399,90руб.374,10руб.365,50руб.

Характеристики

STW55NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600В, 0.047Ом The STW55NM60ND is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• The worldwide best RDS (ON) amongst the fast recovery diode device
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• High dV/dt and avalanche capabilities

Дополнительная информация

Корпус

to247
Структура

n-канал