STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом

170,00 руб.

Артикул: 1126910 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	170,00руб.	158,10руб.	153,00руб.	149,60руб.	144,50руб.	136,00руб.	132,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	319,60руб.	294,10руб.	289,00руб.	282,20руб.	272,00руб.	256,70руб.	249,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	324,70руб.	299,20руб.	292,40руб.	285,60руб.	272,00руб.	258,40руб.	253,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	204,00руб.	187,00руб.	183,60руб.	178,50руб.	173,40руб.	163,20руб.	158,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	295,80руб.	272,00руб.	265,20руб.	260,10руб.	251,60руб.	236,30руб.	229,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	185,30руб.	171,70руб.	166,60руб.	163,20руб.	158,10руб.	147,90руб.	144,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом The STW26NM60N is a 600V N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance