STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом

180,00 руб.

Артикул: 1126909 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	180,00руб.	167,40руб.	162,00руб.	158,40руб.	153,00руб.	144,00руб.	140,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	338,40руб.	311,40руб.	306,00руб.	298,80руб.	288,00руб.	271,80руб.	264,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	343,80руб.	316,80руб.	309,60руб.	302,40руб.	288,00руб.	273,60руб.	268,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	216,00руб.	198,00руб.	194,40руб.	189,00руб.	183,60руб.	172,80руб.	167,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	313,20руб.	288,00руб.	280,80руб.	275,40руб.	266,40руб.	250,20руб.	243,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	196,20руб.	181,80руб.	176,40руб.	172,80руб.	167,40руб.	156,60руб.	153,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• High dv/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance