4

STW15NK90Z, МОП-транзистор, N Канал, 9.5 А, 900 В, 400 мОм

550,00 руб.

x 550,00 = 550,00
Артикул: 1133247 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней550,00руб.511,50руб.495,00руб.484,00руб.467,50руб.440,00руб.429,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.034,00руб.951,50руб.935,00руб.913,00руб.880,00руб.830,50руб.808,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.050,50руб.968,00руб.946,00руб.924,00руб.880,00руб.836,00руб.819,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней660,00руб.605,00руб.594,00руб.577,50руб.561,00руб.528,00руб.511,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней957,00руб.880,00руб.858,00руб.841,50руб.814,00руб.764,50руб.742,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней599,50руб.555,50руб.539,00руб.528,00руб.511,50руб.478,50руб.467,50руб.

Характеристики

STW15NK90Z, МОП-транзистор, N Канал, 9.5 А, 900 В, 400 мОм The STW15NK90Z is a 900V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• Extremely high dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

350Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

900В
Непрерывный Ток Стока

9.5А