4

STW11NK90Z, МОП-транзистор, N Канал, 9.2 А, 900 В, 0.82 Ом

300,00 руб.

x 300,00 = 300,00
Артикул: 1133243 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней300,00руб.279,00руб.270,00руб.264,00руб.255,00руб.240,00руб.234,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней564,00руб.519,00руб.510,00руб.498,00руб.480,00руб.453,00руб.441,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней573,00руб.528,00руб.516,00руб.504,00руб.480,00руб.456,00руб.447,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней360,00руб.330,00руб.324,00руб.315,00руб.306,00руб.288,00руб.279,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней522,00руб.480,00руб.468,00руб.459,00руб.444,00руб.417,00руб.405,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней327,00руб.303,00руб.294,00руб.288,00руб.279,00руб.261,00руб.255,00руб.

Характеристики

STW11NK90Z, МОП-транзистор, N Канал, 9.2 А, 900 В, 0.82 Ом The STW11NK90Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Very good manufacturing repeatability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

200Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

900В
Непрерывный Ток Стока

9.2А