Характеристики
Производитель STMicroelectronics
Серия STripFET™ II
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154″, 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 8-SO
Рассеивание мощности (Макс) 2.5W (Tc)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора —
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 30V
Ток стока (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 3.5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V