Заполнитель

STP85N3LH5, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 4.6 мОм

170,00 руб.

x 170,00 = 170,00
Артикул: 1135659 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней170,00руб.158,10руб.153,00руб.149,60руб.144,50руб.136,00руб.132,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней319,60руб.294,10руб.289,00руб.282,20руб.272,00руб.256,70руб.249,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней324,70руб.299,20руб.292,40руб.285,60руб.272,00руб.258,40руб.253,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней204,00руб.187,00руб.183,60руб.178,50руб.173,40руб.163,20руб.158,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней295,80руб.272,00руб.265,20руб.260,10руб.251,60руб.236,30руб.229,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней185,30руб.171,70руб.166,60руб.163,20руб.158,10руб.147,90руб.144,50руб.

Характеристики

STP85N3LH5, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 30 В, 4.6 мОм The STP85N3LH5 is a N-channel Power MOSFET utilizes the 5th generation of design rules of proprietary STripFET™ technology. The lowest available RDS (ON)*Qg, in the standard packages, makes this device suitable for the most demanding DC-to-DC converter applications, where high power density is to be achieved.

• RDS (ON) x Qg industry benchmark
• Extremely low ON-resistance RDS (ON)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

70Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

40А