Заполнитель

STP62NS04Z, МОП-транзистор, N Канал, 62 А, 33 В, 12.5 мОм

96,00 руб.

x 96,00 = 96,00
Артикул: 1127644 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней96,00руб.89,28руб.86,40руб.84,48руб.78,72руб.76,80руб.74,88руб.69,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней173,76руб.159,36руб.156,48руб.152,64руб.142,08руб.139,20руб.135,36руб.121,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней224,64руб.207,36руб.202,56руб.197,76руб.184,32руб.179,52руб.175,68руб.157,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней115,20руб.105,60руб.103,68руб.100,80руб.94,08руб.92,16руб.89,28руб.80,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней221,76руб.204,48руб.199,68руб.194,88руб.189,12руб.182,40руб.172,80руб.155,52руб.

Характеристики

STP62NS04Z, МОП-транзистор, N Канал, 62 А, 33 В, 12.5 мОм The STP62NS04Z is a N-channel clamped fully protected Power MOSFET produced by using most advanced MESH OVERLAY™ process based on strip layout. The inherent benefits of this new technology coupled with the extra clamping capabilities make this product particularly suitable for the harshest operating conditions such as those encountered in the automotive environment. It is also recommended for any other application requiring extra ruggedness.

• 100% Avalanche tested
• Low capacitance and gate charge
• 175 C Maximum junction temperature

Дополнительная информация

Структура

n-канал