Заполнитель

STP34NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.097 Ом

830,00 руб.

x 830,00 = 830,00
Артикул: 1133203 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней830,00руб.771,90руб.747,00руб.730,40руб.705,50руб.664,00руб.647,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.560,40руб.1.435,90руб.1.411,00руб.1.377,80руб.1.328,00руб.1.253,30руб.1.220,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.585,30руб.1.460,80руб.1.427,60руб.1.394,40руб.1.328,00руб.1.261,60руб.1.236,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней996,00руб.913,00руб.896,40руб.871,50руб.846,60руб.796,80руб.771,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.444,20руб.1.328,00руб.1.294,80руб.1.269,90руб.1.228,40руб.1.153,70руб.1.120,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней904,70руб.838,30руб.813,40руб.796,80руб.771,90руб.722,10руб.705,50руб.

Характеристики

STP34NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.097 Ом The STP34NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ V Power MOSFET produced using ST’s MDmesh™ V technology, which is based on an innovative proprietary vertical structure. The resulting product boasts an extremely low ON-resistance that is unrivalled among silicon-based Power MOSFET and superior switching performance with intrinsic fast-recovery body diode.

• The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
• Low gate input resistance
• Extremely high dV/dt and avalanche capabilities

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

210Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

29А