STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]

110,00 руб.

Артикул: 1126865 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	110,00руб.	102,30руб.	99,00руб.	96,80руб.	93,50руб.	88,00руб.	85,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	206,80руб.	190,30руб.	187,00руб.	182,60руб.	176,00руб.	166,10руб.	161,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	210,10руб.	193,60руб.	189,20руб.	184,80руб.	176,00руб.	167,20руб.	163,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	132,00руб.	121,00руб.	118,80руб.	115,50руб.	112,20руб.	105,60руб.	102,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	191,40руб.	176,00руб.	171,60руб.	168,30руб.	162,80руб.	152,90руб.	148,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	119,90руб.	111,10руб.	107,80руб.	105,60руб.	102,30руб.	95,70руб.	93,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]The STP20NM60FP is an N-channel MDmesh™ Power MOSFET has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout. The adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.

• 100% Avalanche tested
• High dv/dt and avalanche capabilities
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance