Заполнитель

STP12NK30Z, МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 300 В, 400 мОм

240,00 руб.

x 240,00 = 240,00
Артикул: 1135649 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней240,00руб.223,20руб.216,00руб.211,20руб.204,00руб.192,00руб.187,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней451,20руб.415,20руб.408,00руб.398,40руб.384,00руб.362,40руб.352,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней458,40руб.422,40руб.412,80руб.403,20руб.384,00руб.364,80руб.357,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней288,00руб.264,00руб.259,20руб.252,00руб.244,80руб.230,40руб.223,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней417,60руб.384,00руб.374,40руб.367,20руб.355,20руб.333,60руб.324,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней261,60руб.242,40руб.235,20руб.230,40руб.223,20руб.208,80руб.204,00руб.

Характеристики

STP12NK30Z, МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 300 В, 400 мОм The STP12NK30Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of well-established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.

• 0.36R RDS (ON)
• Extremely high dV/dt capability
• Improved ESD capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• Very good manufacturing repeatability
• -55 to 150 C Operating junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

90Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

300В
Непрерывный Ток Стока

9А