308c7322fda982db2adccb47287e9b04

Транзистор STGY50NC60WD

290,00 руб.

x 290,00 = 290,00
Артикул: 1128652 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней290,00руб.269,70руб.261,00руб.255,20руб.246,50руб.232,00руб.226,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней545,20руб.501,70руб.493,00руб.481,40руб.464,00руб.437,90руб.426,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней553,90руб.510,40руб.498,80руб.487,20руб.464,00руб.440,80руб.432,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней348,00руб.319,00руб.313,20руб.304,50руб.295,80руб.278,40руб.269,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней504,60руб.464,00руб.452,40руб.443,70руб.429,20руб.403,10руб.391,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней316,10руб.292,90руб.284,20руб.278,40руб.269,70руб.252,30руб.246,50руб.

Характеристики

STGY50NC60WD IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: MAX247[тм], инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 278 Вт