75

STGW60H65DFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 375 Вт, 650 В

400,00 руб.

x 400,00 = 400,00
Артикул: 1136308 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней400,00руб.372,00руб.360,00руб.352,00руб.340,00руб.320,00руб.312,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней752,00руб.692,00руб.680,00руб.664,00руб.640,00руб.604,00руб.588,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней764,00руб.704,00руб.688,00руб.672,00руб.640,00руб.608,00руб.596,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней480,00руб.440,00руб.432,00руб.420,00руб.408,00руб.384,00руб.372,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней696,00руб.640,00руб.624,00руб.612,00руб.592,00руб.556,00руб.540,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней436,00руб.404,00руб.392,00руб.384,00руб.372,00руб.348,00руб.340,00руб.

Характеристики

STGW60H65DFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 375 Вт, 650 В IGBT Discretes, STMicroelectronicsПолупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

650В
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

375Вт
DC Ток Коллектора

80А