75

Транзистор STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт, [TO-247]

210,00 руб.

x 210,00 = 210,00
Артикул: 1128388 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней210,00руб.195,30руб.189,00руб.184,80руб.178,50руб.168,00руб.163,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней394,80руб.363,30руб.357,00руб.348,60руб.336,00руб.317,10руб.308,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней401,10руб.369,60руб.361,20руб.352,80руб.336,00руб.319,20руб.312,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней252,00руб.231,00руб.226,80руб.220,50руб.214,20руб.201,60руб.195,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней365,40руб.336,00руб.327,60руб.321,30руб.310,80руб.291,90руб.283,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней228,90руб.212,10руб.205,80руб.201,60руб.195,30руб.182,70руб.178,50руб.

Характеристики

STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт, [TO-247] IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Дополнительная информация

Корпус

to-247
Структура

n-канал