75

STGW30NC60WD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.5 В, 200 Вт, 600 В

460,00 руб.

x 460,00 = 460,00
Артикул: 1136304 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней460,00руб.427,80руб.414,00руб.404,80руб.391,00руб.368,00руб.358,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней864,80руб.795,80руб.782,00руб.763,60руб.736,00руб.694,60руб.676,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней878,60руб.809,60руб.791,20руб.772,80руб.736,00руб.699,20руб.685,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней552,00руб.506,00руб.496,80руб.483,00руб.469,20руб.441,60руб.427,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней800,40руб.736,00руб.717,60руб.703,80руб.680,80руб.639,40руб.621,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней501,40руб.464,60руб.450,80руб.441,60руб.427,80руб.400,20руб.391,00руб.

Характеристики

STGW30NC60WD, БТИЗ транзистор, 60 А, 2.5 В, 200 Вт, 600 В The STGW30NC60WD is a 600V Ultra Fast IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in HF, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.

• High frequency operation
• Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• Low VCE (sat) for reduced conduction losses
• Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

600в
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

200Вт
DC Ток Коллектора

60А