52н

Транзистор STGP6NC60HD

98,00 руб.

x 98,00 = 98,00
Артикул: 1128632 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней98,00руб.91,14руб.88,20руб.86,24руб.80,36руб.78,40руб.76,44руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней177,38руб.162,68руб.159,74руб.155,82руб.145,04руб.142,10руб.138,18руб.124,46руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней229,32руб.211,68руб.206,78руб.201,88руб.188,16руб.183,26руб.179,34руб.160,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней117,60руб.107,80руб.105,84руб.102,90руб.96,04руб.94,08руб.91,14руб.82,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней226,38руб.208,74руб.203,84руб.198,94руб.193,06руб.186,20руб.176,40руб.158,76руб.

Характеристики

STGP6NC60HDThe STGP6NC60HD is a very fast N-channel PowerMESH™ IGBT for use with SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix H identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) maintaining a low voltage drop.

• Low on voltage drop (Vcesat)
• Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
• High frequency operation

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 15 А, 56 Вт