52н

Транзистор STGP30NC60W

130,00 руб.

x 130,00 = 130,00
Артикул: 1128628 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней130,00руб.120,90руб.117,00руб.114,40руб.110,50руб.104,00руб.101,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней244,40руб.224,90руб.221,00руб.215,80руб.208,00руб.196,30руб.191,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней248,30руб.228,80руб.223,60руб.218,40руб.208,00руб.197,60руб.193,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней156,00руб.143,00руб.140,40руб.136,50руб.132,60руб.124,80руб.120,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней226,20руб.208,00руб.202,80руб.198,90руб.192,40руб.180,70руб.175,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней141,70руб.131,30руб.127,40руб.124,80руб.120,90руб.113,10руб.110,50руб.

Характеристики

STGP30NC60W IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А