Транзистор STFW4N150, Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, [TO-3PF]

270,00 руб.

Артикул: 1126844 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	270,00руб.	251,10руб.	243,00руб.	237,60руб.	229,50руб.	216,00руб.	210,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	507,60руб.	467,10руб.	459,00руб.	448,20руб.	432,00руб.	407,70руб.	396,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	515,70руб.	475,20руб.	464,40руб.	453,60руб.	432,00руб.	410,40руб.	402,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	324,00руб.	297,00руб.	291,60руб.	283,50руб.	275,40руб.	259,20руб.	251,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	469,80руб.	432,00руб.	421,20руб.	413,10руб.	399,60руб.	375,30руб.	364,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	294,30руб.	272,70руб.	264,60руб.	259,20руб.	251,10руб.	234,90руб.	229,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STFW4N150, Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, [TO-3PF]The STFW4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today’s challenging efficiency requirements.

• 100% Avalanche tested
• Intrinsic capacitances and Qg minimized
• High speed switching
• High peak power
• High ruggedness capability