a9a3a159ad5d9812dac19e038787ca44

STF8N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 650 В, 0.56 Ом

300,00 руб.

x 300,00 = 300,00
Артикул: 1133142 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней300,00руб.279,00руб.270,00руб.264,00руб.255,00руб.240,00руб.234,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней564,00руб.519,00руб.510,00руб.498,00руб.480,00руб.453,00руб.441,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней573,00руб.528,00руб.516,00руб.504,00руб.480,00руб.456,00руб.447,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней360,00руб.330,00руб.324,00руб.315,00руб.306,00руб.288,00руб.279,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней522,00руб.480,00руб.468,00руб.459,00руб.444,00руб.417,00руб.405,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней327,00руб.303,00руб.294,00руб.288,00руб.279,00руб.261,00руб.255,00руб.

Характеристики

STF8N65M5, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 650 В, 0.56 Ом The STF8N65M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. This MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFET, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

• Worldwide best RDS (ON) area
• Higher VDSS rating
• High dV/dt capability
• Easy to drive
• 100% Avalanche tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

25Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

650В
Непрерывный Ток Стока

7А