26

STF15NM65N, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 650 В, 0.35 Ом

350,00 руб.

x 350,00 = 350,00
Артикул: 1133116 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней350,00руб.325,50руб.315,00руб.308,00руб.297,50руб.280,00руб.273,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней658,00руб.605,50руб.595,00руб.581,00руб.560,00руб.528,50руб.514,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней668,50руб.616,00руб.602,00руб.588,00руб.560,00руб.532,00руб.521,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней420,00руб.385,00руб.378,00руб.367,50руб.357,00руб.336,00руб.325,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней609,00руб.560,00руб.546,00руб.535,50руб.518,00руб.486,50руб.472,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней381,50руб.353,50руб.343,00руб.336,00руб.325,50руб.304,50руб.297,50руб.

Характеристики

STF15NM65N, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 650 В, 0.35 Ом The STF15NM65N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest ON-resistance. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

• Low gate input resistance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

30Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

650В
Непрерывный Ток Стока

12А