26

STF10N65K3, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 650 В, 1 Ом, 10 В, 3 В

180,00 руб.

x 180,00 = 180,00
Артикул: 1133110 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней180,00руб.167,40руб.162,00руб.158,40руб.153,00руб.144,00руб.140,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней338,40руб.311,40руб.306,00руб.298,80руб.288,00руб.271,80руб.264,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней343,80руб.316,80руб.309,60руб.302,40руб.288,00руб.273,60руб.268,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней216,00руб.198,00руб.194,40руб.189,00руб.183,60руб.172,80руб.167,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней313,20руб.288,00руб.280,80руб.275,40руб.266,40руб.250,20руб.243,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней196,20руб.181,80руб.176,40руб.172,80руб.167,40руб.156,60руб.153,00руб.

Характеристики

STF10N65K3, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 650 В, 1 Ом, 10 В, 3 ВThe STF10N65K3 is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This SuperMESH3™ Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low ON-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for the most demanding applications.

• Extremely high dV/dt capability
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

35Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

650В
Непрерывный Ток Стока

10а