011

STD5NK40Z-1, МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 400 В, 1.47 Ом

44,00 руб.

x 44,00 = 44,00
Артикул: 1135621 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней44,00руб.40,92руб.39,60руб.38,72руб.36,08руб.35,20руб.34,32руб.31,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней79,64руб.73,04руб.71,72руб.69,96руб.65,12руб.63,80руб.62,04руб.55,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней102,96руб.95,04руб.92,84руб.90,64руб.84,48руб.82,28руб.80,52руб.72,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней52,80руб.48,40руб.47,52руб.46,20руб.43,12руб.42,24руб.40,92руб.36,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней101,64руб.93,72руб.91,52руб.89,32руб.86,68руб.83,60руб.79,20руб.71,28руб.

Характеристики

STD5NK40Z-1, МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 400 В, 1.47 Ом The STD5NK40Z-1 is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.

• 1.47R RDS (ON)
• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• Very good manufacturing repeatability
• -55 to 150 C Operating junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251AA
Рассеиваемая Мощность

45Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

400В
Непрерывный Ток Стока

3А