011

STD2NK90Z-1, МОП-транзистор, N Канал, 1.05 А, 900 В, 5 Ом

250,00 руб.

x 250,00 = 250,00
Артикул: 1133078 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней250,00руб.232,50руб.225,00руб.220,00руб.212,50руб.200,00руб.195,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней470,00руб.432,50руб.425,00руб.415,00руб.400,00руб.377,50руб.367,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней477,50руб.440,00руб.430,00руб.420,00руб.400,00руб.380,00руб.372,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней300,00руб.275,00руб.270,00руб.262,50руб.255,00руб.240,00руб.232,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней435,00руб.400,00руб.390,00руб.382,50руб.370,00руб.347,50руб.337,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней272,50руб.252,50руб.245,00руб.240,00руб.232,50руб.217,50руб.212,50руб.

Характеристики

STD2NK90Z-1, МОП-транзистор, N Канал, 1.05 А, 900 В, 5 Ом The STD2NK90Z-1 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Improved ESD capability
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-251AA
Рассеиваемая Мощность

70Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

900В
Непрерывный Ток Стока

1.05А