011

STD1NK80ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 1 А, 800 В, 13 Ом

39,00 руб.

x 39,00 = 39,00
Артикул: 1133076 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней39,00руб.36,27руб.35,10руб.34,32руб.31,98руб.31,20руб.30,42руб.28,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней70,59руб.64,74руб.63,57руб.62,01руб.57,72руб.56,55руб.54,99руб.49,53руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней91,26руб.84,24руб.82,29руб.80,34руб.74,88руб.72,93руб.71,37руб.63,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней46,80руб.42,90руб.42,12руб.40,95руб.38,22руб.37,44руб.36,27руб.32,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней90,09руб.83,07руб.81,12руб.79,17руб.76,83руб.74,10руб.70,20руб.63,18руб.

Характеристики

STD1NK80ZT4, МОП-транзистор, N Канал, 1 А, 800 В, 13 Ом The STD1NK80ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET features Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

• Extremely high dV/dt capability
• Improved ESD capability
• 100% Avalanche tested
• New high voltage benchmark

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

45Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

1а