Транзистор STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAK

243,00 руб.

Артикул: 1127605 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	243,00руб.	225,99руб.	218,70руб.	213,84руб.	206,55руб.	194,40руб.	189,54руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	456,84руб.	420,39руб.	413,10руб.	403,38руб.	388,80руб.	366,93руб.	357,21руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	464,13руб.	427,68руб.	417,96руб.	408,24руб.	388,80руб.	369,36руб.	362,07руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	291,60руб.	267,30руб.	262,44руб.	255,15руб.	247,86руб.	233,28руб.	225,99руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	422,82руб.	388,80руб.	379,08руб.	371,79руб.	359,64руб.	337,77руб.	328,05руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	264,87руб.	245,43руб.	238,14руб.	233,28руб.	225,99руб.	211,41руб.	206,55руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

STD11NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.4 Ом, 8.5 А, DPAKThe STD11NM50N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to strip layout yields lowest ON-resistance and gate charge. It is suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance