1220

STB23NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 150 мОм

330,00 руб.

x 330,00 = 330,00
Артикул: 1133046 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней330,00руб.306,90руб.297,00руб.290,40руб.280,50руб.264,00руб.257,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней620,40руб.570,90руб.561,00руб.547,80руб.528,00руб.498,30руб.485,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней630,30руб.580,80руб.567,60руб.554,40руб.528,00руб.501,60руб.491,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней396,00руб.363,00руб.356,40руб.346,50руб.336,60руб.316,80руб.306,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней574,20руб.528,00руб.514,80руб.504,90руб.488,40руб.458,70руб.445,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней359,70руб.333,30руб.323,40руб.316,80руб.306,90руб.287,10руб.280,50руб.

Характеристики

STB23NM60ND, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 600 В, 150 мОм The STB23NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low ON-resistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

• The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• High dV/dt and avalanche capabilities

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

150Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

10а