06ad9900137af59ba4a75df339efa80c

STB13007DT4, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 80 Вт, 8 А

96,00 руб.

x 96,00 = 96,00
Артикул: 1130274 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней96,00руб.89,28руб.86,40руб.84,48руб.78,72руб.76,80руб.74,88руб.69,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней173,76руб.159,36руб.156,48руб.152,64руб.142,08руб.139,20руб.135,36руб.121,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней224,64руб.207,36руб.202,56руб.197,76руб.184,32руб.179,52руб.175,68руб.157,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней115,20руб.105,60руб.103,68руб.100,80руб.94,08руб.92,16руб.89,28руб.80,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней221,76руб.204,48руб.199,68руб.194,88руб.189,12руб.182,40руб.172,80руб.155,52руб.

Характеристики

STB13007DT4, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 80 Вт, 8 А The STB13007DT4 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure to enhance switching speeds. Improved specification offers lower leakage current, tighter gain range, DC current gain pre-selection and tighter storage time range.

• Integrated free-wheeling diode
• Low spread of dynamic parameters
• Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
• Very high switching speed
• Large RBSOA
• In compliance with the 2002/93/EC European directive

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

400В
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

80Вт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

8А
DC Усиление Тока hFE

18hFE