SQJ960EP-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

92,00 руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	92,00руб.	85,56руб.	82,80руб.	80,96руб.	75,44руб.	73,60руб.	71,76руб.	66,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	166,52руб.	152,72руб.	149,96руб.	146,28руб.	136,16руб.	133,40руб.	129,72руб.	116,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	215,28руб.	198,72руб.	194,12руб.	189,52руб.	176,64руб.	172,04руб.	168,36руб.	150,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	110,40руб.	101,20руб.	99,36руб.	96,60руб.	90,16руб.	88,32руб.	85,56руб.	77,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	212,52руб.	195,96руб.	191,36руб.	186,76руб.	181,24руб.	174,80руб.	165,60руб.	149,04руб.

Характеристики

SQJ960EP-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The SQJ960EP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

• Halogen-free
• TrenchFET® power MOSFET
• 100% Rg and UIS tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	PowerPAK SO
Рассеиваемая Мощность	34Вт
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	8А