b8d0a33b6ba557c6b6536a8bc3eaa9b6

SPA02N80C3XKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 800 В

72,00 руб.

x 72,00 = 72,00
Артикул: 1132989 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней72,00руб.66,96руб.64,80руб.63,36руб.59,04руб.57,60руб.56,16руб.51,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней130,32руб.119,52руб.117,36руб.114,48руб.106,56руб.104,40руб.101,52руб.91,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней168,48руб.155,52руб.151,92руб.148,32руб.138,24руб.134,64руб.131,76руб.118,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней86,40руб.79,20руб.77,76руб.75,60руб.70,56руб.69,12руб.66,96руб.60,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней166,32руб.153,36руб.149,76руб.146,16руб.141,84руб.136,80руб.129,60руб.116,64руб.

Характеристики

SPA02N80C3XKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 800 В The SPA02N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for high DC bulk voltage and switching applications.

• New revolutionary high voltage technology
• Extreme dV/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Ultra low effective capacitance
• Fully isolated package
• Low specific ON-state resistance
• Field proven CoolMOS™ quality
• Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
• High efficiency and power density
• Outstanding performance
• High reliability
• Ease of use

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

30.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

800В
Непрерывный Ток Стока

2А