2011040850

SKM50GB12T4, GB, Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт

3.000,87 руб.

x 3.000,87 = 3.000,87
Артикул: 1065897 Категория:
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней3.000,87руб.2.790,81руб.2.640,77руб.2.550,74руб.2.460,71руб.2.415,70руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней3.390,98руб.3.060,89руб.3.000,87руб.2.880,84руб.2.790,81руб.2.730,79руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней3.661,06руб.3.300,96руб.3.210,93руб.3.120,90руб.2.940,85руб.2.760,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней3.571,04руб.3.210,93руб.3.150,91руб.3.030,88руб.2.910,84руб.2.745,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней5.101,48руб.4.591,33руб.4.501,31руб.4.321,25руб.4.171,21руб.3.811,10руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней5.071,47руб.4.561,32руб.4.465,29руб.4.291,24руб.4.141,20руб.3.781,10руб.

Характеристики

SKM50GB12T4, GB, Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт

Дополнительная информация

Макс.напр.к-э,В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

Номинальный ток одиночного тр-ра,А

Структура модуля

Тип силового модуля

Максимальная частота модуляции,кГц

Входная емкость затвора,нФ

Мощность привода, кВт

Драйвер управления

Защита по току

Защита от короткого замыкания

Защита от перегрева

Защита от пониженного напряжения питания

Максимальная рассеиваимая мощность,Вт

Максимальный ток эмиттера, А

Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В

Напряжение эмиттер-коллектор,В

Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс

Напряжение изоляции, В

Температурный диапазон,С