Характеристики
Тип модуля
IGBT
Конструкция диода
транзистортранзистор
Топология
полумост IGBT
Обратное напряжение макс.
1.2кВ
Ток коллектора
80А
Импульсный ток
150А
Корпус
SEMITRANS2N
Версия
D93
Электрический монтаж
винтами
Монтаж
винтами
Рабочая температура
-40…125°C
Напряжение затвор — эмиттер
±20В
Dual IGBT Modules
A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.