SIS412DN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В

63,00 руб.

Артикул: 1135469 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	63,00руб.	58,59руб.	56,70руб.	55,44руб.	51,66руб.	50,40руб.	49,14руб.	45,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	114,03руб.	104,58руб.	102,69руб.	100,17руб.	93,24руб.	91,35руб.	88,83руб.	80,01руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	147,42руб.	136,08руб.	132,93руб.	129,78руб.	120,96руб.	117,81руб.	115,29руб.	103,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	75,60руб.	69,30руб.	68,04руб.	66,15руб.	61,74руб.	60,48руб.	58,59руб.	52,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	145,53руб.	134,19руб.	131,04руб.	127,89руб.	124,11руб.	119,70руб.	113,40руб.	102,06руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SIS412DN-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 30 В The SIS412DN-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
• 100% Rg Tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	PowerPAK 1212
Рассеиваемая Мощность	15.6Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	12А