1c0876be363481f5d649c5798c5042f4

SIHG33N65E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 32.4 А, 650 В

700,00 руб.

x 700,00 = 700,00
Артикул: 1132931 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней700,00руб.651,00руб.630,00руб.616,00руб.595,00руб.560,00руб.546,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.316,00руб.1.211,00руб.1.190,00руб.1.162,00руб.1.120,00руб.1.057,00руб.1.029,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.337,00руб.1.232,00руб.1.204,00руб.1.176,00руб.1.120,00руб.1.064,00руб.1.043,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней840,00руб.770,00руб.756,00руб.735,00руб.714,00руб.672,00руб.651,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.218,00руб.1.120,00руб.1.092,00руб.1.071,00руб.1.036,00руб.973,00руб.945,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней763,00руб.707,00руб.686,00руб.672,00руб.651,00руб.609,00руб.595,00руб.

Характеристики

SIHG33N65E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 32.4 А, 650 В Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247ac
Рассеиваемая Мощность

313Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

650В
Непрерывный Ток Стока

32.4А