Заполнитель

SIHF30N60E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В

430,00 руб.

x 430,00 = 430,00
Артикул: 1132928 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней430,00руб.399,90руб.387,00руб.378,40руб.365,50руб.344,00руб.335,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней808,40руб.743,90руб.731,00руб.713,80руб.688,00руб.649,30руб.632,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней821,30руб.756,80руб.739,60руб.722,40руб.688,00руб.653,60руб.640,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней516,00руб.473,00руб.464,40руб.451,50руб.438,60руб.412,80руб.399,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней748,20руб.688,00руб.670,80руб.657,90руб.636,40руб.597,70руб.580,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней468,70руб.434,30руб.421,40руб.412,80руб.399,90руб.374,10руб.365,50руб.

Характеристики

SIHF30N60E-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В The SIHF30N60E-GE3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.

• Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
• Low input capacitance (CISS)
• Reduced switching and conduction losses
• Ultra low gate charge
• Avalanche energy rated
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

37Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

29А