9b0d9b4b5984e21527cbc30d3f840951

SIHF15N60E-E3, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 600 В

96,00 руб.

x 96,00 = 96,00
Артикул: 1132924 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней96,00руб.89,28руб.86,40руб.84,48руб.78,72руб.76,80руб.74,88руб.69,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней173,76руб.159,36руб.156,48руб.152,64руб.142,08руб.139,20руб.135,36руб.121,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней224,64руб.207,36руб.202,56руб.197,76руб.184,32руб.179,52руб.175,68руб.157,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней115,20руб.105,60руб.103,68руб.100,80руб.94,08руб.92,16руб.89,28руб.80,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней221,76руб.204,48руб.199,68руб.194,88руб.189,12руб.182,40руб.172,80руб.155,52руб.

Характеристики

SIHF15N60E-E3, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 600 В The SIHF15N60E-E3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.

• Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
• Low input capacitance (CISS)
• Reduced switching and conduction losses
• Ultra low gate charge
• Avalanche energy rated

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220fp
Рассеиваемая Мощность

34Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

15А