1925

SIA433EDJ-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В

65,00 руб.

x 65,00 = 65,00
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней65,00руб.60,45руб.58,50руб.57,20руб.53,30руб.52,00руб.50,70руб.46,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней117,65руб.107,90руб.105,95руб.103,35руб.96,20руб.94,25руб.91,65руб.82,55руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней152,10руб.140,40руб.137,15руб.133,90руб.124,80руб.121,55руб.118,95руб.106,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней78,00руб.71,50руб.70,20руб.68,25руб.63,70руб.62,40руб.60,45руб.54,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней150,15руб.138,45руб.135,20руб.131,95руб.128,05руб.123,50руб.117,00руб.105,30руб.

Характеристики

SIA433EDJ-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -12 А, -20 В The SIA433EDJ-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery switch and charger switch applications.

• New thermally enhanced PowerPAK® package
• Small footprint area
• Low ON-resistance
• 100% Rg tested
• Built in ESD protection with Zener diode
• 1800V ESD performance
• Halogen-free

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

PowerPAK SC70

Рассеиваемая Мощность

19Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-20В

Непрерывный Ток Стока

-12А