3e14756018abbe6f0e23c618237ff042

SI9926CDY-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

91,00 руб.

x 91,00 = 91,00
Артикул: 1131892 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней91,00руб.84,63руб.81,90руб.80,08руб.74,62руб.72,80руб.70,98руб.65,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней164,71руб.151,06руб.148,33руб.144,69руб.134,68руб.131,95руб.128,31руб.115,57руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней212,94руб.196,56руб.192,01руб.187,46руб.174,72руб.170,17руб.166,53руб.149,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней109,20руб.100,10руб.98,28руб.95,55руб.89,18руб.87,36руб.84,63руб.76,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней210,21руб.193,83руб.189,28руб.184,73руб.179,27руб.172,90руб.163,80руб.147,42руб.

Характеристики

SI9926CDY-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The SI9926CDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter application.

• TrenchFET® power MOSFET
• 100% UIS tested

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

3.1Вт
Полярность Транзистора

Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

8А