1263e78610d54fb8a84755abb386d015

SI9433BDY-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -4.5 А, -20 В

87,00 руб.

x 87,00 = 87,00
Артикул: 1135421 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней87,00руб.80,91руб.78,30руб.76,56руб.71,34руб.69,60руб.67,86руб.62,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней157,47руб.144,42руб.141,81руб.138,33руб.128,76руб.126,15руб.122,67руб.110,49руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней203,58руб.187,92руб.183,57руб.179,22руб.167,04руб.162,69руб.159,21руб.142,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней104,40руб.95,70руб.93,96руб.91,35руб.85,26руб.83,52руб.80,91руб.73,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней200,97руб.185,31руб.180,96руб.176,61руб.171,39руб.165,30руб.156,60руб.140,94руб.

Характеристики

SI9433BDY-T1-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -4.5 А, -20 В The SI9433BDY-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

1.3Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-20В
Непрерывный Ток Стока

-4.5А