d8988ac325d7d8e20d8b5de47cb7332c

Транзистор SI8410DB-T2-E1, MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4

110,00 руб.

x 110,00 = 110,00
Артикул: 1135417 Категории: ,
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней110,00руб.102,30руб.99,00руб.96,80руб.93,50руб.88,00руб.85,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней206,80руб.190,30руб.187,00руб.182,60руб.176,00руб.166,10руб.161,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней210,10руб.193,60руб.189,20руб.184,80руб.176,00руб.167,20руб.163,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней132,00руб.121,00руб.118,80руб.115,50руб.112,20руб.105,60руб.102,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней191,40руб.176,00руб.171,60руб.168,30руб.162,80руб.152,90руб.148,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней119,90руб.111,10руб.107,80руб.105,60руб.102,30руб.95,70руб.93,50руб.

Характеристики

SI8410DB-T2-E1, MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TrenchFET
Рассеиваемая Мощность

1.8Вт
Полярность Транзистора

N Channel
Напряжение Истока-стока Vds

20В
Непрерывный Ток Стока

5.7А