SI7846DP-T1-E3urlimg_data_full_loc

Микросхема SI7846DP-T1-E3

330,00 руб.

SI7846DP-T1-E3, MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

x 330,00 = 330,00
Артикул: 1187406 Категория:
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней330,00руб.306,90руб.297,00руб.290,40руб.280,50руб.264,00руб.257,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней620,40руб.570,90руб.561,00руб.547,80руб.528,00руб.498,30руб.485,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней630,30руб.580,80руб.567,60руб.554,40руб.528,00руб.501,60руб.491,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней396,00руб.363,00руб.356,40руб.346,50руб.336,60руб.316,80руб.306,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней574,20руб.528,00руб.514,80руб.504,90руб.488,40руб.458,70руб.445,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней359,70руб.333,30руб.323,40руб.316,80руб.306,90руб.287,10руб.280,50руб.

Характеристики

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Product Category Power MOSFET
Process Technology TrenchFET
Configuration Single Quad Drain Triple Source
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 150
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 50@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 30@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 30
Maximum Power Dissipation (mW) 1900
Typical Fall Time (ns) 10
Typical Rise Time (ns) 7
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 22
Typical Turn-On Delay Time (ns) 12
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive Yes
Pin Count 8
Supplier Package PowerPAK SO
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.07(Max)
Package Length 4.9
Package Width 5.89
PCB changed 8
Lead Shape No Lead
Вес, г 0.5066